发明名称 靶材及其制造方法
摘要 一种靶材及其制造方法,此靶材系以一焊料接合一无机靶材料与一背板而得者,其中无机靶材料与背板二者中至少有一者上配置有由半金属或金属元素氧化物所构成之耦合剂。此靶材及其制法可解决靶材料与背板接合之成本与密合性方面的问题,且不必使用特殊的焊料,而可便宜且稳定地结合靶材料与背板,以得到溅镀用的靶材。
申请公布号 TWI223673 申请公布日期 2004.11.11
申请号 TW092116783 申请日期 2003.06.20
申请人 日立金属股份有限公司 发明人 谷口繁;岩崎克典
分类号 C23C14/34 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一;萧锡清 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种靶材,系以一焊料接合一无机靶材料与一背板而得者,其中该无机靶材料与该背板二者中至少有一者上配置有由半金属元素氧化物或金属元素氧化物所构成的耦合剂。2.如申请专利范围第1项所述之靶材,其中该耦合剂系为化学周期表上一IVa族元素的氧化物。3.如申请专利范围第1项所述之靶材,其中该耦合剂系为具有矽氧键的矽烷耦合剂。4.一种靶材的制造方法,其系以一焊料接合一无机靶材料与一背板,包括下列步骤:在该无机靶材料与该背板二者中至少一者的接合面上涂布由半金属元素氧化物或金属元素氧化物所构成的耦合剂;在该无机靶材料与该背板二者中至少一者的接合面上配置一焊料;以及结合该无机靶材料与该背板。5.如申请专利范围第4项所述之靶材的制造方法,其中该耦合剂系为化学周期表上一IVa族元素的氧化物。6.如申请专利范围第4项所述之靶材的制造方法,其中该耦合剂系为具有矽氧键的矽烷耦合剂。图式简单说明:第1图绘示由可代表本发明之实例所得之样品1的剖面简图。第2图例示本发明之靶材接合方法的步骤。
地址 日本