| 主权项 |
1.一种整合的倒装晶片结构,包含单一的矽晶片具 有一承接顶面;一第一及第二半导体元件,各具有 一组接合图案及一组端子金属;该第一与第二组接 合图案系被设在该承接顶面之侧向分隔的个别区 域中;该第一与第二元件之各组端子金属系侧向地 互相隔开,并被设在该承接顶面上,而使所有的该 等端子金属皆可由该倒装晶片结构的一面来接近 。 2.如申请专利范围第1项之装置,其包含一深隔离沟 伸入该承接顶面中,并包围含有一组接合图案的区 域。 3.如申请专利范围第2项之装置,其中该第一及第二 半导体元件系为MOSFET元件,其各具有源极、汲极和 闸极端子金属。 4.如申请专利范围第3项之装置,其中该等端子金属 各包含一接触凸球。 5.如申请专利范围第3项之装置,其中该装置具有五 个端子连接体,包含一第一端子连接体连接于第一 元件的汲极端子金属;一第二端子连接体连接于第 二元件的源极端子金属;一第三端子连接体连接于 第一元件的源极端子金属和第二元件的汲极端子 金属;及第四和第五端子连接体分别连接于第一和 第二元件的闸极。 6.如申请专利范围第5项之装置,其中该装置系可在 一同步反向变换电路中来直接连结。 7.如申请专利范围第5项之装置,其中该等端子连接 体包含在承接该整合结构之一支撑板上的分隔金 属化图案等。 8.如申请专利范围第5项之装置,其中该晶片与该承 接顶面相反的表面上设有一金属化层;该金属化层 会被图案化来形成散热片,俾当该晶片之承接顶面 被装设在一支撑板上时,可增进该晶片的冷却效果 。 9.如申请专利范围第5项之装置,其中该晶片与该承 接顶面相反的表面上设有一金属化层;并有一高散 热层设在该金属化层的外表面上。 10.如申请专利范围第9项之装置,其中该散热层系 为一黑色氧化物。 11.一种倒装晶片半导体装置,具有相反的第一与第 二表面,该第一表面具有端子触点等可连接于一支 撑表面;该第二表面具有一金属化层设于其上;该 金属化层会被图案化来形成散热片,俾当该晶片之 承接顶面被装设在一支撑板上时,可增进该晶片的 冷却效果。 12.如申请专利范围第11项之装置,其中该金属化层 系为铜。 13.如申请专利范围第12项之装置,其中更包含一高 散热层设在该金属化层的表面上。 14.如申请专利范围第13项之装置,其中该高散热层 系为一黑色氧化物。 15.一种倒装晶片半导体装置,具有相反的第一与第 二表面,该第一表面具有端子触点等可连接于一支 撑表面;该第二表面具有一金属化层设于其上;及 一高散热层设在该金属化层的表面上。 16.如申请专利范围第15项之装置,其中该高散热层 系为一黑色氧化物。 图式简单说明: 第1图为一典型的同步反向变换电路之电路图,其 中的半导体构件可依据本发明来制成。 第2图为一含有第1图之半导体元件的单片式晶片 之截面图。 第3图为第2图中的元件之一MOSFET胞元的放大图。 第4图为第2图之晶片的顶视图,其中共用的球形端 子系被串接来简单连接于一支撑表面。 第5图示出第2图之元件的底面,其系被图案化来加 强冷却,并设有一高散热性涂层。 第6及7图分别示出第4图之元件中的焊球布局之第 二及第三实施例。 |
