| 主权项 |
1.一种光学扫描装置,用以扫描一光学记录载体,该 装置包含一辐射源,以放射一入射辐射光束、一光 束分裂器,位于自辐射源至光学记录载体之位置之 入射辐射光束路径中,其被安排通过入射在光束分 裂器上之入射光束强度之第一部分向光学记录载 体,及通过该入射光束强度之第二部分至一强度感 测器以感测入射光束之辐射、及一辐射敏感信号 侦测器,用以转换一自光学记录载体反射及通过沿 包括光束分裂器之路径之辐射光束成为一电侦测 信号,该装置包含一光轴,自辐射源之放射开口经 光束分裂器延伸向记录载体位置,及自记录载体返 回至辐射敏感侦测器,其特征为一装置,可防止自 信号侦测器及/或辐射源反射之反射辐射到达光轴 与强度感测器平面之交叉点。 2.如申请专利范围第1项之光学扫描装置,其特征为 该装置系用以将信号侦测器与局部光轴成倾斜。 3.如申请专利范围第1或2项之光学扫描装置,其特 征为该装置包含一楔形元件位于通过光束分裂器 至信号侦测器之路径中。 4.如申请专利范围第3项之光学扫描装置,其包含一 焦点伺服透镜位于光束分裂器与信号侦测器之间, 其特征为楔形元件与焦点伺服透镜整合于一元件 。 5.如申请专利范围第2项之光学扫描装置,其特征为 楔形元件与光束分裂器整合。 6.如申请专利范围第1或2项之光学扫描装置,其特 征为该装置包含一极化滤波器位于光束分裂器与 强度感测器之间,一四分之一波长板安排于光束分 裂器与光学记录载体位置之间。 7.如申请专利范围第1或2项之光学扫描装置,其特 征为安排强度感测器与局部光轴成偏置之额外方 法。 8.如申请专利范围第1或2项之光学扫描装置,其特 征为光束分裂器为一极化光束分裂器。 9.如申请专利范围第1或2项之光学扫描装置,其特 征为光束分裂器为一部分极化光束分裂器,其安排 旨在通过入射于光束分裂器及具有第一极化之入 射光束强度之第一比例至光学记录载体,及通过入 射在光束分裂器并具有与第一极化为正交之第二 极化之反射之光束强度之第二比例至信号侦测器, 该强度之第一比例较强度之第二比例在比例上为 大。 10.如申请专利范围第9项之光学扫描装置,其特征 为该光束分裂器之安排以反射入射光束及传输反 射光束,供入射光束极化之光束分裂器之反射率大 于供反射光束极化之光束分裂器之传输率。 11.如申请专利范围第9项之光学扫描装置,其特征 为该光束分裂器之安排用以传输入射光束及反射 反射之光束,供入射光束极化之光束分裂器之传输 率大于供反射光束极化之光束分裂器之反射率。 12.如申请专利范围第9项之光学扫描装置,其特征 为该第一比例大于75%。 13.如申请专利范围第9项之光学扫描装置,其特征 为该第一比例小于97%。 14.如申请专利范围第12项之光学扫描装置,其特征 为该第一比例在85%与95%之间。 15.如申请专利范围第9项之光学扫描装置,其特征 为该第二比例在15%至75%之范围。 16.如申请专利范围第9项之光学扫描装置,其特征 为其第二比例在25%至62%之范围。 17.如申请专利范围第9项之光学扫描装置,其特征 为其包含一第二辐射源,以放射具有预定波长之第 二辐射光束,及第二光束分裂器,以反射或传输该 第二辐射光束至光学记录载体。 18.如申请专利范围第17项之光学扫描装置,其特征 为该第一光束分裂器安排后在该第一及/或第二波 长之辐射上有一实际上非极化效应。 19.如申请专利范围第17项之光学扫描装置,其特征 为该第二光束分裂器安排后在该第一及/或第二波 长之辐射上有一实际上非极化效应。 20.如申请专利范围第17项之光学扫描装置,其特征 为该第二光束分裂器安排后可显出第二波长辐射 约50%之传输。 21.如申请专利范围第17项之光学扫描装置,其特征 为该第二光束分裂器安排后,可显出该第一波长辐 射之约100%之传输或反射。 22.如申请专利范围第17项之光学扫描装置,其特征 为该第一及第二辐射光束均有写入功率,及二光束 之强度由强度感测器所测量。 图式简单说明: 图1可实施本发明之光学扫描装置之第一实施例; 图2说明信号侦测器反射之辐射如何达到强度感测 器; 图3说明由辐射源反射之辐射如何达到强度感测器 ; 图4显示具有倾斜信号测器之扫描装置之一部分; 图5显示具有倾斜信号侦测器及一轴偏置之强度感 测器之扫描装置之一部分; 图6显示具有一楔形元件于光束分裂器与信号侦测 器之间之扫描装置之一部分; 图7显示一扫描装置,其中之楔件与之焦点伺服透 镜统合; 图8显示一楔形元件与光束分裂器统合; 图9显示一扫描装置之一部分,其有一极化滤波器 在光束分裂器与强度感测器之间; 图10显示一扫描装置之实施例,其利用有不同波长 之二辐射光束; 图11显示另一实施例。 |
