抗反射涂层组合物及制造涂有ARC之基版的方法ANTI REFLECTIVE COATING COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING AN ARC COATED SUBSTRATE

摘要

本发明提供一种可用作抗反射涂层(ARC)聚合体之聚合体，包括此聚合体之一ARC组合物，制造该聚合体之方法，以及使用此聚合体之方法。本发明之聚合体特别适用于次微影制程，例如使用KrF(248 nm),ArF(193 nm)，或 F2(157 nm)雷射作为光源。本发明之聚合体包括可吸收用于次微影制程之波长之光的发色团。因此，本发明之ARC可显着减低或避免因折射和/或反射光所引起的光之回反射和CD变化问题。本发明之ARC亦显着地减低或除去驻波效应和反射刻痕。因此，本发明之聚合体可用来制造一稳定超细图案，其适合于制造64M,256M,1G,4G,16GDRAM半导体装置。再者，本发明之ARC显着地改善此半导体装置的产率。

主权项

1.一种抗反射涂层组合物,其包括将下式所示之一 聚(缩醛)聚合体: 其中 R10和R11独立地为选择性取代之C1-C10烷氧基;以及 R12为氢或烷基; 与具有以下化学式之含有羟基官能基之一聚合物 交联而得之一交联聚合体: 或其混合物,其中 每个Ra,Rb,Rc独立地为氢或选择性为取代之C1-C10烷 基; Rd选择性地为取代之C1-C10烷基; 每个R1至R9独立地为氢,选择性地为取代之C1-C5烷基 ,或选择性地为取代之C1-C5烷氧基烷基; x,y,z是莫耳分率,每个独立地在0.01至0.99的范围内; 每个m和n独立地为1至5之整数。 2.如申请专利范围第1项所述之抗反射涂层组合物, 其中每个R12,Ra,Rb,Rc独立地为氢或甲基。 3.如申请专利范围第1项所述之抗反射涂层组合物, 更包括一添加物,择自由(anthracene),9-甲醇,9- ,9-羧酸,dithranol,1,2,10-三醇,黄酮酸,9-甲 醛,9-甲醛,2-胺基-7-甲基-5-氧-5H-[1]苯并喃酮 基[2,3-b]苯并啶-3-,1-胺基,-2-羧酸,1,5- 二羟基,酮,9-基三氟甲基酮,下式之一9-烷 基衍生物: 下式之一羧基衍生物: 下式之一羧基衍生物: 及其混合物, 其中 每个R13,R14,R15独立地为氢,羟基,选择性地为取代之 C1-C5烷基,或选择性地为取代之C1-C5烷氧基烷基。 4.如申请专利范围第1项所述之抗反射涂层组合物, 更包括一有机溶剂。 5.如申请专利范围第4项所述之抗反射涂层组合物, 其中该有机溶剂为择自由乙基3-乙氧基丙酸酯,甲 基3-甲氧基丙酸酯,环己酮,和丙二醇甲基醚乙酸酯 所组成之族群中。 6.如申请专利范围第4项所述之抗反射涂层组合物, 其中该有机溶剂之量为200至5000%,以该交联聚合体 之总重为基准。 7.一种制造涂有ARC之基板的方法,包括下列步骤: (a)将一抗反射涂层组合物涂布在一基板上,该组合 物包括聚合体混合物,该聚合体混合物包括: (i)下式所示之一聚(缩醛)聚合体: 其中 R10和R11独立地为选择性取代之C1-C10烷氧基;以及 R12为氢或烷基;以及 (ii)下式所示之含有羟基官能基之一聚合体: 或其混合物,其中 每个Ra,Rb,Rc独立地为氢或选择性为取代之C1-C10烷 基; Rd选择性地为取代之C1-C10烷基; 每个R1至R9独立地为氢,选择性地为取代之C1-C5烷基 ,或选择性地为取代之C1-C5烷氧基烷基; x,y,z是莫耳分率,每个独立地在0.01至0.99的范围内; 每个m和n独立地为1至5之整数;以及 (b)将该经涂布基板加热至100℃至300℃之温度范围 内10秒至1000秒,以制造出涂有ARC之基板。