| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69631233(T2) |
申请公布日期 |
2004.11.11 |
| 申请号 |
DE1996631233T |
申请日期 |
1996.10.07 |
| 申请人 |
CANON K.K., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
SATO, NOBUHIKO;YONEHARA, TAKAO;SAKAGUCHI, KIYOFUMI |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/02;H01L21/265;H01L21/322;H01L21/762;H01L27/12;H01L31/18;(IPC1-7):H01L21/20;H01L21/304;H01L21/306;H01L33/00 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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