发明名称 |
基板温度测定方法 |
摘要 |
从某一侧面看到的本发明的膜厚监控方法如以下那样构成。当使用具有反应炉的CVD(化学水蒸气沉积)装置在上述反应炉内的基板上形成薄膜时,在上述反应炉的外部测定来自上述反应炉内的辐射光,获得上述辐射光的辐射率的变化与形成于上述基板上的薄膜的膜厚变化的关系。当在获得上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系后使用上述CVD装置在基板上形成薄膜时,测定上述辐射光的上述辐射率的变化。根据获得的上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系,从所测定出的上述辐射光的上述辐射率的变化,推定形成于上述反应炉内的基板上的上述薄膜的膜厚。 |
申请公布号 |
CN1545140A |
申请公布日期 |
2004.11.10 |
申请号 |
CN200410047644.2 |
申请日期 |
2002.03.28 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
赤堀浩史;佐俣秀一 |
分类号 |
H01L21/66;G01K11/00;H01L21/00 |
主分类号 |
H01L21/66 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
李德山 |
主权项 |
1.一种基板温度测定方法,其包括以下过程:圆柱杆状玻璃纤维具有一方的前端部和另一方的前端部,并且使形成于上述一方前端部的平坦面与垂直于作为温度测定对象的基板的主表面的侧面对置地配置上述玻璃纤维,而上述玻璃纤维在上述一方的前端部具有相对上述玻璃纤维的中心轴平行的上述平坦面和相对上述玻璃纤维的中心轴倾斜地切成的斜面;从上述平坦面将从上述基板的侧面辐射的光取入到玻璃纤维内,在上述一方的前端部的上述斜面使其反射,将其引导至上述另一方的前端部。 |
地址 |
日本东京都 |