| 发明名称 | 多片大面积化学浴沉积装置 | ||
| 摘要 | 本发明名称为“多片大面积化学浴沉积装置”，属于半导体薄膜规模化生产设备。本发明为实施化学浴方法，解决一次沉积多片大面积薄膜中的技术关键，具有如下特点：用不锈钢作反应槽，内壁涂覆高化学稳定性高分子材料；使用数个有不同旋转方向的搅拌器，安装在不同深度；反应槽底部有凹形过滤器，废液经过滤后排放；水浴只起保温、控温作用，溶液的加热由石英加热器进行。本发明适用于化学浴沉积半导体薄膜的规模化制造。 | ||
| 申请公布号 | CN1544689A | 申请公布日期 | 2004.11.10 |
| 申请号 | CN200310110913.0 | 申请日期 | 2003.11.12 |
| 申请人 | 四川大学 | 发明人 | 蔡伟;冯良桓;蔡亚平;郑家贵;李卫;黎兵 |
| 分类号 | C23C18/00;H01L21/208;H01L21/368 | 主分类号 | C23C18/00 |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、一种沉积半导体薄膜的化学浴沉积槽，其特征是一次能在多片大面积衬底上能沉积半导体薄膜。 | ||
| 地址 | 610065四川省成都市一环路南一段24号 | ||