发明名称 | 高纯锂的制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种高纯锂的制备方法,该方法是将粗锂经熔化、沉降过滤除去大部分杂质后,控制锂液均匀连续流入真空蒸馏炉,在温度450-650℃、压力低于15Pa的条件下选择性蒸发杂质,并在低于150℃的温度下冷凝收集。该方法采用一次低温薄层真空蒸馏金属锂,降低能耗,延长设备寿命,流程短、成本低、直收率高、生产能力大,能耗仅相当于高温精馏法的三分之一左右,是一种制取高纯锂的有效方法。 | ||
申请公布号 | CN1544669A | 申请公布日期 | 2004.11.10 |
申请号 | CN200310110970.9 | 申请日期 | 2003.11.14 |
申请人 | 昆明永年锂业有限公司 | 发明人 | 米兆襄;杨斌;范政;王顺才;李迪;李国策 |
分类号 | C22B26/12;C22B9/02 | 主分类号 | C22B26/12 |
代理机构 | 昆明正原专利代理有限责任公司 | 代理人 | 赵云 |
主权项 | 1、一种高纯锂的制备方法,其特征在于:金属锂经熔化、沉降过滤除去高熔点杂质后,通过阀门控制锂液流入精炼炉进行蒸馏,在蒸馏温度为450℃-650℃、低于15Pa的压力下选择性地挥发锂液中的杂质K、Na,在低于150℃温度下冷凝收集;一次低温蒸馏得到高纯金属锂。 | ||
地址 | 650101云南省昆明市二环西路625号 |