| 发明名称 | 一种晶体管装置 | ||
| 摘要 | 一种在低压CMOS处理过程中不用额外的处理步骤即可产生高压MOS晶体管的方法。该高压M0S晶体管意于用作模拟线驱动器并在用作低压AD/DA转换器的同一硅区上产生。这样，低压块和高压块就可直接彼此兼容，例如具有相同的阈值电压，这种方法也使总方案的设计得以简化。 | ||
| 申请公布号 | CN1175478C | 申请公布日期 | 2004.11.10 |
| 申请号 | CN00808861.6 | 申请日期 | 2000.04.17 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | A·瑟德贝里 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/8238;H01L29/76 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;李亚非 |
| 主权项 | 1.一种装置，包括：一在衬底上的高电压MOS晶体管；和一低电压NMOS晶体管和一低电压PMOS晶体管，其中该高电压MOS晶体管以和低电压晶体管相同的CMOS工艺在该衬底上形成；其中低电压NMOS晶体管和高电压MOS晶体管的阈值电压是相同的，并且高电压MOS晶体管关于该高电压MOS晶体管的漏极区对称。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||