发明名称 | 用等离子体技术制备透明低阻/高阻复合膜 | ||
摘要 | 用等离子体技术制备透明低阻/高阻复合膜本项发明所属领域为,新型光电子材料。用低温等离子技术制备透明低电阻/高电阻复合薄膜,属于真空物理和半导体技术相结合的新工艺。本发明主要针对制备太阳能电池的透明电极时,需反复沉积透明导电膜和透明高阻膜。用氧等离子对透明导电薄膜进行轰击,一次性将透明导电薄膜处理成透明低阻/高阻复合膜,而无需再沉积一层透明高阻膜。该发明减化了生产工艺,大幅降低产品成本。本发明还可用于液晶显示器和塑料显示器的透明电极。 | ||
申请公布号 | CN1544685A | 申请公布日期 | 2004.11.10 |
申请号 | CN200310111023.1 | 申请日期 | 2003.11.27 |
申请人 | 四川大学 | 发明人 | 冯良桓;雷智;张静全;林锡钢 |
分类号 | C23C14/48 | 主分类号 | C23C14/48 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 1.一个使用低温等离子技术制备透明低阻/高阻复合膜的方法。其特征是,在透明低电阻膜的基础上,用氧等离子进行轰击,对透明低阻膜内的氧缺位进行补偿,从而形成低阻/高阻复合膜。 | ||
地址 | 610065四川省成都市一环路南一段24号 |