发明名称 用等离子体技术制备透明低阻/高阻复合膜
摘要 用等离子体技术制备透明低阻/高阻复合膜本项发明所属领域为,新型光电子材料。用低温等离子技术制备透明低电阻/高电阻复合薄膜,属于真空物理和半导体技术相结合的新工艺。本发明主要针对制备太阳能电池的透明电极时,需反复沉积透明导电膜和透明高阻膜。用氧等离子对透明导电薄膜进行轰击,一次性将透明导电薄膜处理成透明低阻/高阻复合膜,而无需再沉积一层透明高阻膜。该发明减化了生产工艺,大幅降低产品成本。本发明还可用于液晶显示器和塑料显示器的透明电极。
申请公布号 CN1544685A 申请公布日期 2004.11.10
申请号 CN200310111023.1 申请日期 2003.11.27
申请人 四川大学 发明人 冯良桓;雷智;张静全;林锡钢
分类号 C23C14/48 主分类号 C23C14/48
代理机构 代理人
主权项 1.一个使用低温等离子技术制备透明低阻/高阻复合膜的方法。其特征是,在透明低电阻膜的基础上,用氧等离子进行轰击,对透明低阻膜内的氧缺位进行补偿,从而形成低阻/高阻复合膜。
地址 610065四川省成都市一环路南一段24号