发明名称 一种兰花快速繁殖的方法
摘要 本发明公开了一种兰花快速繁殖的方法,它包括下列步骤:首先将兰花芽放置增殖培养基中,使芽不断地进行增殖,芽增殖培养基包括改良MS基本培养基和附加不同成分的物质;其次是光照培养,温度为20-28℃,光强1500-3000lx,每天光照;第三是壮苗培养,用改良MS基本培养基和附加不同成分的物质;第四是光照培养;第五是生根培养,将苗接入生根培养基中。本发明方法简便,操作方便,工作效率高,成本低。
申请公布号 CN1543778A 申请公布日期 2004.11.10
申请号 CN200310111452.9 申请日期 2003.11.25
申请人 中国科学院武汉植物研究所 发明人 杨波;李洪林;付志惠;李琼
分类号 A01H4/00 主分类号 A01H4/00
代理机构 武汉宇晨专利事务所 代理人 王敏锋
主权项 1、一种兰花快速繁殖的方法,包括下列步骤:A、将兰花芽放置增殖培养基中,兰花芽增殖的培养基为改良MS基本培养基和附加不同成份的物质,改良MS基本培养基为,单位:mg/L: NH4NO3 550~850 KNO3 600~1000 CaCl2·2H2O 150~250 MgSO4·7H2O 100~200 KH2PO4 50~90 KI 0.2~0.5 H3BO3 2.00~3.0 MnSO4·4H2O 7.0~12.0 ZnSO4·7H2O 2.5~4.5 Na2MoO4·2H2O 0.08~0.125 CuSO4·5H2O 0.008~0.0125 CoCl2·6H2O 0.008~0.0125 FeSO4·7H2O 9.0~14.0 Na2·EDTA·2H2O 12.00~18.00 肌醇 100 烟酸 0.5盐酸吡哆醇 0.5盐酸硫胺素 0.1甘氨酸 2,附加成份为6-苄氨基嘌呤3~10mg/L、萘乙酸0.5~5mg/L、琼脂6000~8000mg/L、糖20000~30000mg/L、活性炭0.3~0.5%混配;B、光照培养,温度为20~28℃,光强1500~3000Lx,每天光照10~16小时,每30~40 扩繁一次;C、壮苗培养,壮苗培养基包括改良MS基本培养基和附加不同成份的物质,改良MS基本培养成份与芽的基本培养基相同,附加成份为6-苄氨基嘌呤0~2mg/L、萘乙酸0.5~2mg/L、琼脂6000~8000mg/L、糖20000~30000mg/L、香蕉泥5~10%、活性炭0.3~0.5%混配;D、光照培养,温度为20~28℃,光强1500~3000Lx,每天光照10~16小时;E、生根培养,将3~6cm高的苗接入配制好的生根培养基中,这种生根培养基包括改良MS基本培养基和附加不同成份的物质,改良MS培养基的成份与芽的基本培养基相同,附加成份为NAA1~3mg/L、活性碳0.3~0.5%、琼脂6000~8000mg/L、糖20000~30000mg/L混配;在温度为20~28℃,光强1500~3000Lx,每天光照10~16小时的条件下培养。
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