| 发明名称 | 具有基底接触的绝缘层上有硅的结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有基底接触的绝缘层上有硅的结构，包括一绝缘层上有硅的基底，而基底上具有一绝缘层，绝缘层上具有一硅层，硅层上形成有一栅极，且栅极侧边的硅层中分别形成一源极区与一漏极区，而在绝缘层与硅层的界面提供一基底接触，其中较佳的基底接触系位于源极区与栅极之间的绝缘层中。通过在绝缘层与硅层之间提供基底接触而降低颈结与基底效应等，以改善绝缘层上有硅芯片的组件特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1175494C | 申请公布日期 | 2004.11.10 |
| 申请号 | CN01110319.1 | 申请日期 | 2001.04.03 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 林泓均;王是琦 |
| 分类号 | H01L27/12;H01L29/78;H01L21/84 | 主分类号 | H01L27/12 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种具有基底接触的绝缘层上有硅的结构，适用在一基底上，其特征在于包括：一绝缘层，位于该基底之上；一硅层，位于该绝缘层之上；一栅极，位于该硅层上；一源极区，位于该栅极的一边的该硅层中；一漏极区，位于该栅极的另一边的该硅层中；一基底接触，位于该源极区与该栅极之间的该绝缘层与该硅层接口。 | ||
| 地址 | 台湾新竹科学工业园区研新三路四号 | ||