| 发明名称 | 使用高电阻硅化物靶材生长硅化物的工艺 | ||
| 摘要 | 本发明属集成电路制造工艺技术领域。为了优化硅化物模块工艺，满足结深日益减薄情况下对漏电的要求，采用高电阻硅化物作为靶材，溅射到硅片表面后，再通过快速热退火形成低电阻的硅化物。这样既保证与衬底形成紧密接触，又尽可能减少对衬底硅的消耗。 | ||
| 申请公布号 | CN1545131A | 申请公布日期 | 2004.11.10 |
| 申请号 | CN200310108837.X | 申请日期 | 2003.11.25 |
| 申请人 | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 胡恒声 |
| 分类号 | H01L21/203 | 主分类号 | H01L21/203 |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 滕怀流;陶金龙 |
| 主权项 | 1、一种集成电路制造中的硅化物工艺，其特征在于使用高电阻相的硅化物作为PVD的靶材，将高电阻硅化物溅射到硅片表面，再通过高温快速热退火形成低电阻的硅化物，以减少衬底硅消耗。 | ||
| 地址 | 200020上海市淮海中路918号18楼 | ||