| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法、以及电镀液 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法，其具有埋入布线结构，并利用保护膜来保护裸露布线的表面；上述埋入布线结构是通过在设于半导体基片等表面上的布线用的微细凹部中，埋入铜或银等导电体而构成的。本发明的半导体器件的特征在于，在具有埋入布线结构的半导体器件的裸露布线表面，形成表面平坦化的保护膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1545728A | 申请公布日期 | 2004.11.10 |
| 申请号 | CN02815790.7 | 申请日期 | 2002.08.12 |
| 申请人 | 株式会社荏原制作所 | 发明人 | 井上裕章;木村宪雄;王新明;松本守治;金山真 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/288;C23C18/32 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 胡建新 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，在具有埋入布线结构的半导体器件的裸露布线表面，形成表面平坦的保护膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||