| 发明名称 | 一种镧锶银锰氧化物磁电阻材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种磁电阻材料及其制备方法，特别是一种镧锶银锰氧化物磁电阻材料及其制备方法。该磁电阻材料的分子式为La<SUB>x</SUB>Sr<SUB>y</SUB>Ag<SUB>Z</SUB>MnO<SUB>3</SUB>，其中0.6≤x≤0.7，0.1≤y≤0.16，z≤1－x－y，主要采用溶胶－凝胶法，在La<SUB>x</SUB>Sr<SUB>y</SUB>MnO<SUB>3</SUB>的Sr位掺杂银元素。本发明解决了现有技术中存在的磁场灵敏度低、温区不合适、温区窄、磁电阻在室温附近随温度变化大等缺点，具有在室温状态下，该磁电阻材料磁电阻达到峰值且随温度的变化小、磁场灵敏度较高、磁电阻数值大等特点，且该制备方法工艺简单、反应温度低、所制备的产品性能稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN1545150A | 申请公布日期 | 2004.11.10 |
| 申请号 | CN200310109661.X | 申请日期 | 2003.11.18 |
| 申请人 | 河北师范大学 | 发明人 | 唐贵德;刘兴民;刘力虎;赵旭;郝普;陈伟;侯登录;聂向富 |
| 分类号 | H01L43/10;H01L43/12;C04B35/00 | 主分类号 | H01L43/10 |
| 代理机构 | 石家庄新世纪专利事务有限公司 | 代理人 | 董金国 |
| 主权项 | 1、一种镧锶银锰氧化物磁电阻材料，其特征在于该磁电阻材料的分子式为LaxSryAgzMnO3，其中0.6≤x≤0.7，0.1≤y≤0.16，z≤1-x-y。 | ||
| 地址 | 050016河北省石家庄市裕华东路265号河北师范大学物理学院 | ||