| 发明名称 | 高频陶瓷电容器的陶瓷材料及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高频陶瓷电容器的陶瓷材料及制造方法。所述的高频陶瓷电容器的陶瓷材料主要成分为(Zr<SUB>0.7</SUB>Sn<SUB>0.3</SUB>)TiO<SUB>4</SUB>化合物，并且含有CuO、ZnO、BaCO<SUB>3</SUB>、SrCO<SUB>3</SUB>和玻璃添加剂中的至少一种。其制备方法包括：用淬冷法制造玻璃，以ZrO<SUB>2</SUB>、SnO<SUB>2</SUB>、TiO<SUB>2</SUB>为主要原料，按配方加入添加剂，进行球磨、烘干、过筛、预烧、二次球磨、烘干、造粒、压制成型、进行烧结。其特征在于，预烧是以5～6℃/分的升温速率升至1000～1120℃；烧结是以3℃/分的升温速率升至500～550℃后，再以5～6℃/分的升温速率升至1100～1200℃。本发明的优点在于，所制备的陶瓷材料具有优异的介电性能，原料价格低廉；由于烧结温度低，可与Pd含量较低的内电极浆料共烧，从而降低多层陶瓷电容器的生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN1545112A | 申请公布日期 | 2004.11.10 |
| 申请号 | CN200310107033.8 | 申请日期 | 2003.11.17 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 吴顺华;王国庆;王爽;王伟;苏皓;杨正方 |
| 分类号 | H01G4/12;H01B3/12;C04B35/01;C04B35/622 | 主分类号 | H01G4/12 |
| 代理机构 | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人 | 解松凡 |
| 主权项 | 1、一种高频陶瓷电容器的陶瓷材料，该材料主要由(Zr0.7Sn0.3)TiO4化合物组成，其特征在于：该材料还包含占(Zr0.7Sn0.3)TiO4重量比为0～2.0％的CuO、ZnO、BaCO3、SrCO3和占重量比为0～6.0％的玻璃五种添加剂中的至少一种。 | ||
| 地址 | 300072天津市卫津路92号 | ||