| 发明名称 | 光记录与再现介质基底、光记录与再现介质制造压模的制造方法以及光记录与再现介质制造压模 | ||
| 摘要 | 一种具有沿记录光道形成的凹槽(2)、用于在辐照特定波长λ的光L时进行记录和/或再现的光记录与再现介质，其中凹槽(2)的光道间距p最小为200nm，最大为350nm，而凹槽(2)的宽度W<SUB>g</SUB>与光道间距p的比值W<SUB>g</SUB>/p最小为0.24，最大为0.67。 | ||
| 申请公布号 | CN1545701A | 申请公布日期 | 2004.11.10 |
| 申请号 | CN02816256.0 | 申请日期 | 2002.07.18 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 远藤惣铭;铃木忠男;清水纯;中野淳 |
| 分类号 | G11B7/24 | 主分类号 | G11B7/24 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 冯赓宣 |
| 主权项 | 1、在具有沿记录光道形成的凹槽的光记录与再现介质基底上，所述光记录与再现介质基底的特征在于，所述凹槽具有在200nm至350nm范围内选择的光道间距。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||