制备多晶硅的方法

摘要

本发明属于半导体材料技术领域，是一种把非晶硅转化成多晶硅的方法。本发明是在已脱氢的非晶硅表面溅射一薄层金属镍，薄层厚度为0.5～2.5nm。在400～500℃温度，氮气气氛下退火2～4小时，形成镍硅化合物NiSi，用能量密度为260～360mJ/cm²的准分子激光把非晶硅熔化。随着熔化的非晶硅温度降低，在非晶硅的上界面处就以NiSi₂小晶核作为籽晶得到多晶硅的生长，在非晶硅的下界面即固液界面处也得到多晶硅的生长。通过这种办法，在熔化的非晶硅上下两个界面同时发生晶化，使晶化度得到了很大提高。

主权项

1、一种制备多晶硅的方法，其特征是在已脱氢的非晶硅表面溅射一薄层金属镍，薄层厚度为0.5～2.5nmnm，在400～500℃温度，氮气气氛下退火2～4小时，形成镍硅化合物NiSi2；用能量密度为260～360mJ/cm2的准分子激光把非晶硅熔化，随着熔化的非晶硅温度降低，在非晶硅的上下界面处生长出多晶硅。