低K技术中的铜通孔

摘要

在具有铜互连和低k层间电介质的集成电路中，发现热处理后开路的问题，通过Ti第一衬层(42)、随后的CVDTiN保形衬层(46)、依次随后的TA或TaN最终衬层(48)解决该问题，从而增强通孔和底铜层之间的粘附力，同时把由Ti和铜之间合金化引起的电阻增加减小到可接受的值。

主权项

1.一种在集成电路中形成铜互连的方法，包括以下步骤：(a)淀积和构图第一铜互连层(30)；(b)淀积第一低介电常数层间介质层(40)；(c)形成一组通孔，所述通孔穿过所述的第一低介电常数层间介质层，中止在所述第一铜互连层上；(d)在所述的通孔组内淀积Ti第一衬层(42)；(e)在所述的通孔组内淀积CVD TiN第二衬层(46)；(f)在所述的通孔组内淀积由Ta或TaN组成的第三衬层(48)；(g)淀积和构图第二铜互连层(50)；