发明名称 用于显微机械加工晶体材料的蚀刻工艺和由此制造的装置
摘要 本发明提供了一种微光具座,所述微光具座具有蚀刻到衬底中的相交结构。具体地,本发明所涉及的微光具座包括具有沿单晶衬底的选定晶面所形成的平坦表面的结构。所提供的结构中的两种是蚀刻-停止凹点和邻近于所述蚀刻-停止凹点设置的各向异性蚀刻的零件。在蚀刻-停止凹点与各向异性蚀刻的零件之间的交点处保持晶面的定向。本发明还提供了一种用于显微机械加工衬底以形成微光具座的方法。所述方法包括形成蚀刻-停止凹点的步骤和邻近于所述蚀刻-停止凹点形成各向异性蚀刻的零件的步骤。所述方法还包括用蚀刻-停止层涂覆所述蚀刻-停止凹点的表面。
申请公布号 CN1545732A 申请公布日期 2004.11.10
申请号 CN02816376.1 申请日期 2002.07.19
申请人 希普雷公司 发明人 丹·A·斯坦伯格;拉里·J·拉斯纳克
分类号 H01L27/082;H01L27/102 主分类号 H01L27/082
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 蒋旭荣
主权项 1.一种微光具座,所述微光具座包括具有蚀刻-停止凹点和被各向异性地蚀刻的零件的衬底,所述被蚀刻零件邻近于所述蚀刻-停止凹点布置。
地址 美国马萨诸塞