| 发明名称 |
Method for forming integrated dielectric layers |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US6815332(B2) |
申请公布日期 |
2004.11.09 |
| 申请号 |
US20020284517 |
申请日期 |
2002.10.30 |
| 申请人 |
ASM JAPAN |
发明人 |
SAN NELSON LOKE CHOU;SATOH KIYOSHI |
| 分类号 |
C23C16/505;C23C16/30;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/455;H01L21/205;H01L21/3105;H01L21/316;H01L21/768;H01L23/522;(IPC1-7):H01L21/476 |
主分类号 |
C23C16/505 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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