| 发明名称 |
Method for forming a thin film using an atomic layer deposition (ALD) process |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US6815350(B2) |
申请公布日期 |
2004.11.09 |
| 申请号 |
US20030378681 |
申请日期 |
2003.03.05 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD |
发明人 |
KIM YOUNG-SEOK;HYUNG YONG-WOO;KANG MAN-SUNG;AHN JAE-YOUNG |
| 分类号 |
H01L21/20;C23C16/30;C23C16/44;C23C16/455;H01L21/318;H01L21/321;(IPC1-7):H01L21/31;H01L21/469;H01L21/44 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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