| 发明名称 |
Manufacturing method of CMOS devices |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US6815279(B2) |
申请公布日期 |
2004.11.09 |
| 申请号 |
US20010907952 |
申请日期 |
2001.07.19 |
| 申请人 |
TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO |
发明人 |
YAGISHITA ATSUSHI;MATSUO KOUJI |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/265;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/10;H01L29/786;H01L31/0328;H01L31/0336;H01L31/072;H01L31/109;(IPC1-7):H01L21/336;H01L21/823 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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