| 发明名称 |
Semiconductor device and semiconductor substrate, and method of fabricating the same |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US6815726(B2) |
申请公布日期 |
2004.11.09 |
| 申请号 |
US20030249116 |
申请日期 |
2003.03.17 |
| 申请人 |
MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
发明人 |
ISHIDA MASAHIRO;NAKAMURA SHINJI;ORITA KENJI;IMAFUJI OSAMU;YURI MASAAKI |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L21/20;H01L21/338;H01L29/04;H01L29/20;H01L29/205;H01L29/812;H01L29/861;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/16;H01L33/22;H01L33/32;H01S5/223;H01S5/323;H01S5/343;(IPC1-7):H01L29/22 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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