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摘要 A reflection photomask includes a reflection layer on a substrate, an absorber pattern on the reflection layer, and a capping layer on the reflection layer. The capping layer may be selected to decrease a reflectivity of the reflection photomask by less than about 20% of the reflectivity of the reflection layer.
申请公布号 KR100455383(B1) 申请公布日期 2004.11.06
申请号 KR20020021311 申请日期 2002.04.18
申请人 发明人
分类号 G03F1/16;H01L21/027;G03F1/14;G03F1/22;G03F1/24;G03F1/68;G03F7/20;G21K1/06 主分类号 G03F1/16
代理机构 代理人
主权项
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