发明名称 Boron trichloride-based plasma etch
摘要 An embodiment of the invention is a method of eliminating the surface roughness of the hardmask 4 of a ferroelectric capacitor stacks 2 using a BCl3-based plasma etch.
申请公布号 US2004217087(A1) 申请公布日期 2004.11.04
申请号 US20030426502 申请日期 2003.04.30
申请人 CELII FRANCIS G.;THAKRE MAHESH;SUMMERFELT SCOTT R.;MOISE THEODORE S. 发明人 CELII FRANCIS G.;THAKRE MAHESH;SUMMERFELT SCOTT R.;MOISE THEODORE S.
分类号 C23F4/00;H01L21/02;H01L21/3213;H01L27/115;(IPC1-7):C23F1/00;B44C1/22;C03C25/68;C03C15/00 主分类号 C23F4/00
代理机构 代理人
主权项
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