Ein Verfahren zum Beschichten einer Halbleiterstruktur

摘要

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Abscheiden einer Metallschicht auf einer Halbleiterstruktur. Eine Halbleiterstruktur mit mindestens einer Vertiefung und mindestens einer Erhöhung wird bereitgestellt. Die Halbleiterstruktur wird galvanisiert, um eine Schicht aus einem Metall abzuscheiden und um die mindestens eine Vertiefung mit Metall zu füllen. Die Halbleiterstruktur wird elektropoliert, um das Metall vorzugsweise von der mindestens einen Erhöhung zu entfernen, und chemisch-mechanisches Polieren wird durchgeführt, um einen Überschuss des Metalls von der mindestens einen Erhöhung zu entfernen und um eine Oberfläche der Halbleiterstruktur einzuebnen. Die vorliegende Erfindung ermöglicht vorteilhafterweise eine Verringerung der Anforderungen an den chemisch-mechanischen Polierprozess.