| 发明名称 |
Method for manufacturing group-III nitride compound semiconductor, and group-III nitride compound semiconductor device |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US2004219702(A1) |
申请公布日期 |
2004.11.04 |
| 申请号 |
US20040473075 |
申请日期 |
2004.01.08 |
| 申请人 |
NAGAI SEIJI;KOIKE MASAYOSHI;TOMITA KAZUYOSHI |
发明人 |
NAGAI SEIJI;KOIKE MASAYOSHI;TOMITA KAZUYOSHI |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/205;H01L33/00;(IPC1-7):H01L21/00;C30B1/00;H01L21/36 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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