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Ein integrierter Speicher enthält ein Speicherzellenfeld, das Wortleitungen (WL0 bis WL2) und Bitleitungen (BL0, BL1) aufweist, sowie einen Schreib-Lese-Verstärker (SA, SA0, SA1), der mit den Bitleitungen (BL0, BL1) verbunden ist zur Bewertung und Verstärkung von Datensignalen. Eine Spannungsgeneratorschaltung (VG1, VG2) erzeugt eine Spannungsversorgung zum Anlegen an den Schreib-Lese-Verstärker (SA), wobei mit unterschiedlichen Versorgungspotentialen (Vb1h, gnd+V) eine Potentialdifferenz an den Schreib-Lese-Verstärker angelegt wird. Die Spannungsgeneratorschaltung (VG1, VG2) erhöht während eines Bewertungs- und Verstärkungsvorgangs des Schreib-Lese-Verstärkers (SA) für einen begrenzten Zeitraum (T) die an den Schreib-Lese-Verstärker angelegte Potentialdifferenz (Vb1h+V, gnd). Dadurch ist ein Bewertungs- und Verstärkungsvorgang mit vergleichsweise hoher Schaltgeschwindigkeit durchführbar und dennoch ein niedriger Leistungsverbrauch ermöglicht.
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