| 发明名称 | 中等纯度冶金硅及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制备中等纯度的硅的方法，其包括：通过在潜弧电炉中碳热还原二氧化硅制备硼含量低的硅；采用氧气或者氯气对液态硅进行精炼；在10－100Pa的低压下，通过喷射中性气体对已精炼的硅进行处理；偏析凝固。本发明还涉及被设计用作制造电子级或者光电级硅的原材料的中等纯度硅，其组成为(以重量分数计)：杂质的总含量为100－400ppm，其中，金属元素的含量为30－300ppm；硼含量为1－10ppm；磷/硼之比为0.5－1.5。 | ||
| 申请公布号 | CN1543435A | 申请公布日期 | 2004.11.03 |
| 申请号 | CN02816232.3 | 申请日期 | 2002.07.22 |
| 申请人 | 英温西尔公司 | 发明人 | G·巴路爱斯;Y·卡拉提尼 |
| 分类号 | C01B33/037;C01B33/025 | 主分类号 | C01B33/037 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蔡胜有 |
| 主权项 | 1.一种将被用作制造光电级或者电子级硅的原材料的中等纯度硅的制备方法，其包括：-通过在潜弧电炉中碳热还原制备硼含量低的硅，-采用氧气或者氯气对液态硅进行精炼，-在10-100Pa的低压下，通过喷射中性气体对已精炼的液态硅进行处理，-偏析凝固。 | ||
| 地址 | 法国尚贝里 | ||