发明名称 |
使用平面化方法和电解抛光相结合的方法形成半导体结构 |
摘要 |
一种平面化和电抛光半导体结构上的导电层的方法,包括在半导体晶片上形成具有凹槽区和非凹槽区的介质层。在介质层上形成导电层,以覆盖凹槽区和非凹槽区。然后平面化导电层的表面,以减小表面形貌的变化。然后电解抛光经平面化的导电层,以暴露出非凹槽区。 |
申请公布号 |
CN1543668A |
申请公布日期 |
2004.11.03 |
申请号 |
CN02816119.X |
申请日期 |
2002.08.15 |
申请人 |
ACM研究公司 |
发明人 |
姚向宇;张如皋;易培豪;王晖 |
分类号 |
H01L21/302;H01L21/461;H01L21/4763;H01L23/48;H01L23/52 |
主分类号 |
H01L21/302 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.一种形成半导体结构的方法,包括:在半导体晶片上形成介质层,其中所述介质层包括凹槽区和非凹槽区;在介质层上形成导电层,以覆盖凹槽区和非凹槽区;平面化所述导电层的表面,以减少所述导电层的表面形貌的变化;以及在平面化所述导电层的表面之后,电解抛光所述导电层,以暴露出非凹槽区。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |