发明名称 |
一种红外无机非线性光学晶体材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种CsCdBr<SUB>3</SUB>晶体,由下法制得:将等摩尔量的CsBr和CdI<SUB>2</SUB>溶于二次蒸馏水中,回流至溶液呈透明状,过滤,冷却,分离,干燥得到CsCdBr<SUB>3</SUB>;将CsCdBr<SUB>3</SUB>置于容器中,加入二次蒸馏水,加热溶解后置于30-60℃下的恒温槽中,加入挑好的无明显缺陷的小籽晶;半个月后,得到所需晶体材料;该晶体材料为非中心对称结构,以CdBr<SUB>3</SUB><SUP>-</SUP>为阴离子基团,以Cs<SUP>+</SUP>为阳离子,阴离子基团为八面体构型,且通过共面的形式形成一维链状结构,八面体中六个Cd-Br键长分为两组:2.774和2.804。此种无机材料在可见光区和红外光区完全透明,有较大的二阶非线性光学系数,并能得到较大尺寸的单晶,因此可用作红外波段的二阶非线性光学材料。 |
申请公布号 |
CN1174125C |
申请公布日期 |
2004.11.03 |
申请号 |
CN02115851.7 |
申请日期 |
2002.05.17 |
申请人 |
武汉大学 |
发明人 |
任鹏;秦金贵;杨雪梅;刘涛;陈创天;吴以成 |
分类号 |
C30B29/12;C30B7/00;H01S3/16 |
主分类号 |
C30B29/12 |
代理机构 |
武汉天力专利事务所 |
代理人 |
程祥;冯卫平 |
主权项 |
1.一种红外无机非线性光学晶体材料,由下法制得:将等摩尔量的CsBr和CdI2溶于二次蒸馏水中,回流至溶液呈透明状,过滤,自然冷却,分离析出物并干燥得到CsCdBr3;将所得CsCdBr3置于容器中,加入二次蒸馏水,加热溶解后,置于30-60℃下的恒温槽中,加入挑好的无明显缺陷的小籽晶;半个月后,得到六棱柱状单晶即为所需晶体材料;该晶体材料为非中心对称结构,以CdBr3-为阴离子基团,以Cs+为阳离子,阴离子基团为八面体构型,且通过共面的形式形成一维链状结构,八面体中六个Cd-Br键长分为两组:2.774和2.804。 |
地址 |
430072湖北省武汉市武昌珞珈山 |