用以改善所需化学机械抛光压强对于将由抛光头施加于晶片的作用力的转换精度的具有改良解析度的设备及方法

摘要

一种CMP系统及方法，其中抛光垫相对一晶片及一定位环作横向移动，以执行于CMP操作时施加所需压强至该晶片的指令。该压强计算及压强对作用力转换的精确度，可在不使用高解析度元件，例如高解析度字装置的情形下获得改善。在数字及模拟两种操作下，通过由一组单位转换至第二组单位后再转换为第一组单位的所需压强或作用力值的转换，可获得该改善的精确度。本发明的量化过程，可藉由一具有普通解析度的数字装置处理的数据而完成。该过程在分开的处理器间传送压强/作用力刻度及压强/作用力设定点数据，以获得具有可接受的粗确度的压强及作用力计算值，如此可消除或显著减少量化误差。

主权项

1.一种精确表示方法，用以精确表示化学机械抛光中施加于一晶片的压强值的压强范围中经由计算处理而得到的一所需值，该方法包含如下操作步骤：把压强范围除以一元件解析度的值，以定义该压强范围的刻度部分；产生一第一输出信号，以标识包含该所需值的刻度部分其中的一个；及产生一第二输出信号，以标识可定义该已标识刻度部分中的请求值的一设定点。