| 发明名称 | 横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法，用MOCVD、MBE或其他方法生长GaN籽晶层；在GaN籽晶层上沉积SiO<SUB>2</SUB>、Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>、W等薄膜，利用光刻方法蚀刻出一定的图形，对于平行长条状，掩摸区宽度2－20μm，GaN窗口区宽度0.2－20μm，平行长条状的开口方向是沿GaN的[1T00]取向；对于正六边形的开口，使GaN的[1T00]取向垂直于正六边形的边，然后用MOCVD或HVPE方法外延生长GaN，直至掩模层被GaN铺满，继续生长得到低位错密度氮化镓薄膜。HVPE生长速率很快。由于在远离界面处位错密度比较低，所以在横向外延薄膜上HVPE厚膜外延，可得到位错密度更低的GaN薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1174470C | 申请公布日期 | 2004.11.03 |
| 申请号 | CN02113084.1 | 申请日期 | 2002.05.31 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 张荣;修向前;顾书林;卢佃清;毕朝霞;沈波;江若琏;施毅;朱顺明;韩平;胡立群;郑有炓 |
| 分类号 | H01L21/205;H01L21/365;C23C16/34 | 主分类号 | H01L21/205 |
| 代理机构 | 南京知识律师事务所 | 代理人 | 陈建和 |
| 主权项 | 1、横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法，其特征是用MOCVD、MBE或其他方法生长GaN籽晶层；在GaN籽晶层上沉积SiO<sub>2</sub>、Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>、W等薄膜，利用光刻方法蚀刻出一定的图形，对于平行长条状，掩摸区宽度2-20μm，GaN窗口区宽度0.2-20μm，平行长条状的开口方向是沿GaN的<img file="C021130840002C1.GIF" wi="99" he="41" />取向：对于正六边形的开口，使GaN的<img file="C021130840002C2.GIF" wi="97" he="39" />取向垂直于正六边形的边，然后用MOCVD或HVPE方法外延生长GaN，直至掩模层被GaN铺满，继续生长得到低位错密度氮化镓薄膜。 | ||
| 地址 | 210093江苏省南京市汉口路22号 | ||