| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，能够用较少的工序形成MIM型电容元件，同时提供一种具有电阻值的偏差或者寄生电阻较少的电阻体。半导体器件，包括：在形成在衬底上的绝缘膜2上按从下往上的顺序叠层起来的阻挡金属膜6及由AlCu膜8及TiN膜9形成的布线10b、10c，以及包括由阻挡金属膜6形成的电容器下方电极、由形成在电容器下方电极上的SiO<SUB>2</SUB>膜7形成的电容器绝缘膜、由形成在SiO<SUB>2</SUB>膜7上的AlCu膜8及TiN膜9形成的电容器上方电极的电容元件10a。 | ||
| 申请公布号 | CN1542968A | 申请公布日期 | 2004.11.03 |
| 申请号 | CN200410031536.6 | 申请日期 | 2004.03.23 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 江头恭子;桥本伸 |
| 分类号 | H01L27/04;H01L21/82 | 主分类号 | H01L27/04 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于：包括：布线，其由在形成在衬底上的绝缘膜上按从下往上的顺序叠层起来的第1导电膜及第2导电膜形成；以及电容元件，其包括：由所述第1导电膜形成的电容器下方电极、形成在所述电容器下方电极上的电容器绝缘膜、以及形成在所述电容器绝缘膜上由所述第2导电膜形成的电容器上方电极。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||