半导体存储器件

摘要

本发明的课题是以高速进行数据的写入而不损害数据保持稳定性。设置以存储单元阵列(1)的列为单位至少在数据写入时控制衬底电位的衬底电位设定电路(10)。数据写入时，通过变更选择列的存储单元晶体管的衬底区的电位，以降低数据保持特性(静态噪声容限)，能够以高速可靠地对存储单元写入数据。

主权项

1.一种半导体存储器件，其特征在于：配备：被排列成行列状，各自包括用分别具有背栅的第1及第2导电类型的绝缘栅型场效应晶体管构成的闩锁电路的多个存储单元；以及响应于地址信号和工作模式指示信号，在数据写入时和数据读出时，变更选择存储单元的至少第1导电类型的绝缘栅型场效应晶体管的背栅电位的衬底电位变更电路。