| 发明名称 | 从钽卤化物前体得到的热化学气相沉积钽氮化物膜的等离子体处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明描述了用于从无机钽卤化物(TaX<SUB>5</SUB>)前体和含氮气体沉积高质量保形钽氮化物(TaN<SUB>x</SUB>)膜的等离子体处理的化学气相沉积(PTTCVD)方法。无机钽卤化物前体是五氟化钽(TaF<SUB>5</SUB>)、五氯化钽(TaCl<SUB>5</SUB>)和五溴化钽(TaBr<SUB>5</SUB>)。在热CVD方法中，TaX<SUB>5</SUB>蒸气被输送至加热室(11)内。蒸气与含氮的工艺气体混合以将TaN<SUB>x</SUB>膜沉积在加热至300℃-500℃的基片上。在射频产生的等离子体中引入氢气以等离子体处理TaN<SUB>x</SUB>膜。周期性地进行等离子体处理直至得到期望的TaN<SUB>x</SUB>膜厚度。PTTCVD膜具有改善的微结构和降低的电阻率，而没有台阶覆盖的改变。沉积的TaN<SUB>x</SUB>膜可以用于含有铜膜的集成电路，特别是在高纵横比的小器件中。这些膜的高保形性优于由PVD沉积的膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1174117C | 申请公布日期 | 2004.11.03 |
| 申请号 | CN00806888.7 | 申请日期 | 2000.04.26 |
| 申请人 | 东京电子株式会社 | 发明人 | 约翰·J·豪塔拉;约翰内斯·F·M·韦斯滕多普 |
| 分类号 | C23C16/34;H01L21/285 | 主分类号 | C23C16/34 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 林晓红 |
| 主权项 | 1.在基片(23)上沉积钽氮化物(TaNx)膜的方法，所述方法包括通过将选自五氯化钽和五氟化钽的钽卤化物前体加热至足以使所述前体汽化的温度而向含有所述基片(23)的反应室(11)提供钽卤化物前体蒸气，然后将所述蒸气与含氮的工艺气体混合，在所述基片(23)上通过热化学气相沉积(CVD)方法沉积所述TaNx，其后用含氢气体等离子体处理所述沉积的TaNx。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||