| 发明名称 | 稳定材料层性质的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种稳定材料层的方法，此方法将多个存放于晶片盒的晶片，依序送入反应室中进行材料层沉积，之后并传送至持续通入特定气体的晶片盒中存放，直到晶片盒内所有晶片都已经过处理。由于在进行材料层的沉积过程中，已形成有材料层的晶片存放于持续通入气体的晶片盒中，因此可有效稳定材料层的性质，并减少出气现象所导致的污染。 | ||
| 申请公布号 | CN1542924A | 申请公布日期 | 2004.11.03 |
| 申请号 | CN03125026.2 | 申请日期 | 2003.04.29 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 陈菁华 |
| 分类号 | H01L21/3105;H01L21/321;H01L21/68;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/3105 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种稳定材料层性质的方法，该方法包括：提供一晶片；于该晶片上形成一材料层，该材料层的材质选自金属、金属氮化物、金属硅化物与氧化物所组成的族群；以及将该晶片放置于充满一气体的环境中，以稳定该材料层的性质。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||