| 发明名称 | 强电介质膜、电容器及它们的制造方法及强电介质存储器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有良好特性的强电介质膜的制造方法和利用该制造方法来获得的强电介质膜。本发明的强电介质膜的制造方法是将含有复合氧化物的原材料体进行结晶化的工序包括在内的强电介质膜的制造方法；包括：(a)在所定压力和温度的第一状态中，进行热处理；(b)在所述(a)工序之后，维持在低于或等于第一状态的压力和温度的第二状态的工序；并重复进行所述(a)和(b)的方法进行结晶化。 | ||
| 申请公布号 | CN1542922A | 申请公布日期 | 2004.11.03 |
| 申请号 | CN200410031531.3 | 申请日期 | 2004.03.23 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 大桥幸司;木岛健;柄沢润一;滨田泰彰;名取荣治 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L21/82;H01L21/8239;H01L27/10 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1、一种强电介质膜的制造方法，是将含有复合氧化物的原材料体进行结晶化的工序包括在内的强电介质膜的制造方法，其特征在于包括：(a)在所定压力和温度的第一状态中，进行热处理；(b)在所述(a)工序之后，维持在低于或等于第一状态的压力和温度的第二状态的工序；并通过重复进行所述(a)和(b)的方法来进行结晶化。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||