发明名称 |
单室沉积非晶硅叠层太阳能电池及制造方法 |
摘要 |
本发明涉及单室沉积非晶硅叠层太阳能电池制造,属于叠层薄膜电池技术。目的是利用单室沉积技术,创造一种低成本大规模生产非晶硅双结叠层太阳能电池。技术特征在单室中充入I层非晶硅工作气体,压力80Pa,温度230℃,放电功率120W,沉积膜厚700~800的I层非晶硅膜;分子泵抽真空度6.0~9.0×10<SUP>-3</SUP>Pa时,在顶电池I层非晶硅膜表面,及顶电池N层微晶硅膜表面分别制作一层40~50氧化物阻挡层,氩离子轰击和氩气冲洗,减少膜层污染。 |
申请公布号 |
CN1542988A |
申请公布日期 |
2004.11.03 |
申请号 |
CN03134829.7 |
申请日期 |
2003.09.25 |
申请人 |
李毅 |
发明人 |
胡盛明;李毅 |
分类号 |
H01L31/06;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L31/06 |
代理机构 |
深圳市毅颖专利事务所 |
代理人 |
张艺影;李奕晖 |
主权项 |
1、一种单室沉积非晶硅叠层太阳能电池,包括沉积的顶电池PIN非晶硅、微晶硅膜和制备的底电池PIN非晶硅、微晶硅膜,其特征在于所述的叠层太阳能电池,是在大面积玻璃基片上沉积的八层非晶硅、微晶硅膜和氧化物阻挡层所构成,且以氧化物阻挡层优化隧道结。 |
地址 |
518029广东省深圳市福田区八卦路光纤小区2栋5楼东座 |