| 发明名称 | 半导体结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体结构的制造方法，其是在基材的第一表面上形成高介电常数(High Dielectric Constant；High k)薄膜后，且在任何高温热处理步骤前，先利用含卤素(Halogen)化学物对与基材的第一表面相对的基材第二表面进行背面清洗，以去除第二表面或第一表面边缘上的高介电常数材料污染；采用本发明的制造方法，不仅可防止交互污染，还可确保组件品质与制备可靠度。 | ||
| 申请公布号 | CN1542923A | 申请公布日期 | 2004.11.03 |
| 申请号 | CN03122496.2 | 申请日期 | 2003.04.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 彭宝庆;林义雄;雷明达;刘埃森;林佳惠;林正忠;万文恺;黄桂武 |
| 分类号 | H01L21/3105;H01L21/283 | 主分类号 | H01L21/3105 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 潘培坤;楼仙英 |
| 主权项 | 1、一种半导体结构的制造方法，包括：提供一基材，其中该基材至少包括相对的一第一表面以及一第二表面；形成一高介电常数薄膜位于该基材的该第一表面上；以及在一高温热处理前，利用一化学物清洗该基材的该第二表面。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹 | ||