浅沟槽隔离的制造方法

摘要

一种浅沟槽隔离结构的制造方法。在一基底中形成一沟槽结构，并在沟槽中形成一绝缘插塞，使绝缘插塞具一部分突出于基底表面之上，再于突出部分的侧壁形成一硅材料间隙壁。然后，再将硅材料间隙壁氧化成氧化硅间隙壁，以形成一浅沟槽隔离结构。

主权项

1.一种浅沟槽隔离结构的制造方法，该方法包括：提供一基底；于该基底上形成一衬垫氧化层；于该基底上形成一硬掩模层；去除部分该硬掩模层、该衬垫氧化层及该基底，以在该基底中形成一沟槽；形成一衬氧化层，其沿着该沟槽的表面成长；于该硬掩模层上形成一绝缘层，并回填该沟槽；回蚀该绝缘层，并以该硬掩模层为蚀刻终止层；去除该硬掩模层，以形成一绝缘插塞，其具有一突出部分，高于该基底的表面；于该基底及该绝缘插塞的表面上形成一硅材料层；回蚀该硅材料层，以在该绝缘插塞的侧壁上形成一硅材料间隙壁；以及利用热氧化法，将该硅材料间隙壁氧化成氧化硅间隙壁。