光电导或电致电导器件的制造

摘要

用来使制作在具有不利结晶生长形貌的下层上的非晶膜结晶的方法，包括提供有利生长的衬底，然后在有利生长的衬底的引晶表面上制作第一不利生长层。在第一不利生长层中腐蚀出窗口，使窗口向下延伸穿过第一不利生长层达及引晶表面，从而暴露部分引晶表面。然后在第一不利生长层上制作非晶媒质层。此非晶媒质层填充窗口并与有利生长的衬底的引晶表面接触。借助于对非晶媒质层进行退火，使非晶媒质层的结晶相在引晶表面处开始成核，并传播贯穿整个非晶媒质层，致使非晶媒质层的其余部分结晶，从而形成结晶的媒质层。

主权项

1.一种用来使形成在具有不利结晶生长形貌的下层上的非晶膜结晶的方法，它包含：提供在其上具有引晶表面(23)的有利生长的衬底(21)；在引晶表面(23)上形成第一不利生长层(25)；图形化并腐蚀向下延伸穿过第一不利生长层(25)达到引晶表面(23)的窗口(27)；在第一不利生长层(25)上形成非晶媒质层(31)，使部分非晶媒质层(31)填充窗口(27)并与引晶表面(23)接触，非晶媒质层包括选自硒化铟、碲化铟、以及组分为InSe1-xTex的固溶体和中间相的材料；借助于对非晶媒质层(31)进行退火，使非晶媒质层(31)的结晶相在引晶表面(23)处开始(39a)成核，并传播贯穿整个非晶媒质层(31)的其余部分，从而形成结晶的媒质层(39)，所述结晶的媒质层可用于存储数据；以及对结晶的媒质层(39)进行处理，以便将结晶的媒质层(39)电绝缘于有利生长的衬底(21)。