发明名称 磁光记录介质及其制造方法
摘要 一磁光盘(1)顺包括有在主表面上存在有凸面和凹槽的一盘基(2);第一介电层(3);包含有在室温下具有垂直磁各向异性的第一磁层(4)、在室温下具有共面磁各向异性的第二磁层(5)、以及在室温下具有垂直磁各向异性的第三磁层(6)的一多层磁膜(10);第二介电层7;反射层8和保护层9,其中该层和膜是顺序层积在盘基(2)上所形成的。第二磁层(5)的磁饱和被设置为从8.80×10<SUP>-2</SUP>至1.76×10<SUP>-1</SUP>Wb/m<SUP>2</SUP>。在此之下的第二磁层(5)的气压被设置为从0.6至3.0Pa。第三磁层(6)包含15atom%至17atom%的Co。
申请公布号 CN1543645A 申请公布日期 2004.11.03
申请号 CN02816048.7 申请日期 2002.05.14
申请人 索尼株式会社 发明人 和田丰;中山比吕史
分类号 G11B11/105 主分类号 G11B11/105
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 蒲迈文;黄小临
主权项 1.一种磁光记录介质,其中在一基片上提供顺序层积:在室温下具有垂直磁各向异性的第一磁层,在室温下具有共面磁各向异性的第二磁层,以及在室温下具有垂直磁各向异性的第三磁层的一多层磁膜,并且能够通过将一激光束照射在所述的多层磁膜上而记录和/或再现一信息信号,其中所述的第二磁层的磁饱和大于8.80×10-2Wb/m2并且小于1.76×10-1Wb/m2。
地址 日本东京都