| 发明名称 | 用于包括外延硅末端的超薄型氧化物上硅器件的方法及其制造的物件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包括超薄型外延层的晶体管，其形成具有长度由在晶体管的栅极堆叠下的底切所确定的沟道的嵌入式结。本发明还涉及形成所述晶体管的方法和包含了所述晶体管的系统。 | ||
| 申请公布号 | CN1543679A | 申请公布日期 | 2004.11.03 |
| 申请号 | CN03800523.9 | 申请日期 | 2003.07.03 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 阿南德·默西;布雷恩·多伊尔;杰克·卡瓦列尔罗斯;罗伯特·周 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L29/417;H01L29/45;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人 | 肖善强;吴湘文 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体器件的方法，包括：在绝缘体上硅(SOI)衬底上提供栅极堆叠；在所述栅极堆叠处，形成栅极堆叠底切；以及在所述底切处，生长嵌入式外延源/漏结。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||