| 发明名称 | 硅石基淤浆 | ||
| 摘要 | 本发明涉及淤浆组合物和其制备方法。尤其是，本发明的淤浆组合物包括硅石，其中硅石包含表面改性。本发明硅石基淤浆适用于抛光制品和尤其可用于半导体衬底和其它微电子衬底的化学－机械平面化(“CMP”)。 | ||
| 申请公布号 | CN1543491A | 申请公布日期 | 2004.11.03 |
| 申请号 | CN02815393.6 | 申请日期 | 2002.06.13 |
| 申请人 | PPG工业俄亥俄公司 | 发明人 | S·D·赫尔灵;C·P·麦克卡恩;C·F·卡勒;李玉琢;J·克勒尔 |
| 分类号 | C09G1/02;C09G1/04;H01L21/321;C09K3/14 | 主分类号 | C09G1/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蔡胜有 |
| 主权项 | 1.一种包含表面改性硅石的用于衬底CMP的硅石基淤浆组合物。 | ||
| 地址 | 美国俄亥俄州 | ||