| 发明名称 | 一种N－羟基脒类化合物的制备方法 | ||
| 摘要 | N-羟基脒类化合物的制备方法，将2位、4位或6位的卤代吡啶化腈在无水乙醇中与无水哌嗪作用生成含1位哌嗪基的吡啶化腈类化合物；然后利用二碳酸二叔丁酯进行单氨基保护；再与盐酸羟胺、碱金属的碳酸盐反应生成N-羟基脒类化合物。本发明提供的上述制备方法简单而且所得产物的产率较高。 | ||
| 申请公布号 | CN1173952C | 申请公布日期 | 2004.11.03 |
| 申请号 | CN02139211.0 | 申请日期 | 2002.10.28 |
| 申请人 | 武汉大学 | 发明人 | 石闯;姜中兴;曾艳 |
| 分类号 | C07D213/78 | 主分类号 | C07D213/78 |
| 代理机构 | 武汉天力专利事务所 | 代理人 | 程祥;冯卫平 |
| 主权项 | 1.结构式为<img file="C021392110002C1.GIF" wi="296" he="202" />式中X＝Boc-t的N-羟基脒类化合物的制备方法，将2位、4位或6位的卤代吡啶化腈在无水乙醇中与无水哌嗪作用生成含1位哌嗪基的吡啶化腈类化合物；然后利用二碳酸二叔丁酯进行单氨基保护；再与盐酸羟胺、碱金属的碳酸盐反应生成N-羟基脒类化合物。 | ||
| 地址 | 430072湖北省武汉市武昌珞珈山 | ||