一种p－Zn<SUB>1－x</SUB>Mg<SUB>x</SUB>O晶体薄膜及其制备方法

摘要

本发明的p－Zn_1－xMg_xO晶体薄膜，是以B、Al、Ga、In中的一种或几种为施主、以N、P、As气体中的一种或几种为受主共掺杂的p－Zn_1－xMg_xO晶体薄膜，x的摩尔含量为0＜x＜40％，掺杂浓度为10¹⁵～10¹⁹cm^－3。薄膜的制备采用脉冲激光沉积法，靶材是由高纯ZnO、MgO和施主掺杂剂粉末混合烧结的陶瓷靶，其中MgO的摩尔含量为0＜x＜40％，施主掺杂剂的摩尔含量为0＜y＜3％，生长温度为400～700℃，生长气氛为经等离子体活化的含受主的气体和高纯O₂的混合气体，掺杂浓度可通过调节输入的含受主气体和高纯O₂的不同分压比、靶材中施主掺杂剂的摩尔含量以及后续退火处理的温度来控制。

主权项

1.一种p-Zn1-xMgxO晶体薄膜，其特征在于它是以B、Al、Ga、In中的一种或几种为施主、以N、P、As气体中的一种或几种为受主共掺杂的p-Zn1-xMgxO晶体薄膜，x的摩尔含量为0＜x＜40％，掺杂浓度为1015～1019cm-3。