偏振不灵敏半导体光学放大器的制备方法

摘要

一种偏振不灵敏半导体光学放大器的制备方法，包括如下步骤：1)利用等离子体化学气相沉积技术在铟磷衬底上生长介质膜；2)利用普通的光刻腐蚀技术刻出半导体光学放大器所需的掩膜图形；3)采用窄条宽选择生长金属有机化学气相沉积技术，在光刻后的铟磷衬底上依次生长n型铟磷缓冲层、铟镓砷磷有源层以及p型铟磷盖层；4)利用腐蚀液去掉介质膜；5)二次外延p型铟磷盖层和掺锌的铟镓砷接触层；6)光刻腐蚀出器件条形结构；7)三次外延铟磷窗口区；8)光刻腐蚀出器件条形结构；9)利用化学气相沉积生长二氧化硅绝缘层，10)开二氧化硅窗口；11)作电极；12)解理，在器件的两个端面上镀介质光学膜。

主权项

1、一种偏振不灵敏半导体光学放大器的制备方法，其特征在于， 包括如下步骤： 1)利用等离子体化学气相沉积技术在铟磷衬底上生长介质膜； 2)利用普通的光刻腐蚀技术刻出半导体光学放大器所需的掩膜图 形；介质膜掩膜图形为楔型，其长度可根据实际需要改变，为了克服光 学曝光的物理极限和获得合适的楔型高度，必须同时采用内楔型和外楔 型；中间条宽1微米，在利用普通光刻腐蚀方法得到无介质膜锯齿边的 图形，严格控制涂胶、曝光，显影，以得到清晰的掩膜图形，然后采用 缓冲氧化物腐蚀剂，选择室温，腐蚀出无锯齿边的介质掩膜图形； 3)采用窄条宽选择生长金属有机化学气相沉积技术，在光刻后的 铟磷衬底上依次生长n型铟磷缓冲层、铟镓砷磷有源层以及p型铟磷盖 层； 4)利用腐蚀液去掉介质膜； 5)二次外延p型铟磷盖层和掺锌的铟镓砷接触层； 6)光刻腐蚀出器件条形结构； 7)三次外延铟磷窗口区； 8)光刻腐蚀出器件条形结构； 9)利用化学气相沉积生长二氧化硅绝缘层； 10)开二氧化硅窗口； 11)作电极； 12)解理，在器件的两个端面上镀介质光学膜。