| 发明名称 | 半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法，包括两个半导体材料层和两个半导体材料层中夹的一薄的磁性材料层，其特征在于，选择半导体衬底，然后在衬底上直接生长磁性材料；或在衬底上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性材料层；最后在磁性材料层上外延半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN1174467C | 申请公布日期 | 2004.11.03 |
| 申请号 | CN01124213.2 | 申请日期 | 2001.08.15 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 杨君玲;陈诺夫;何家宏;钟兴儒;吴金良;林兰英;刘志凯;杨少延;柴春林 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/20 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法，包括两个半导体材料层和两个半导体材料层中夹的一薄的磁性材料层，其特征在于，选择半导体衬底，然后在衬底上直接生长磁性材料；或在衬底上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性材料层；最后在磁性材料层上外延半导体层；其中所述的磁性材料层是常规的锰磁性材料或是镓锰砷稀磁半导体材料；该半导体材料层是硅、砷化镓、锑化镓。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路肖庄 | ||